商品名稱:STM32WLE4JCI6
數(shù)據(jù)手冊(cè):STM32WLE4JCI6.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:UFBGA73
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
STM32WLE4JCI6 無線遠(yuǎn)距離MCU基于高性能ARM? Cortex?-M4 32位RISC內(nèi)核架構(gòu),采用 73 引腳 UFBGA 封裝,工作頻率高達(dá)48MHz。具有(G)FSK、(G)MSK和BPSK調(diào)制。該ARM內(nèi)核執(zhí)行全套DSP指令和獨(dú)立存儲(chǔ)保護(hù)單元 (MPU),增強(qiáng)應(yīng)用安全性。
該MCU集成了高速存儲(chǔ)器(閃存高達(dá)256KB,SRAM高達(dá)64KB)和各種增強(qiáng)型I/O和外設(shè)。此外,這些遠(yuǎn)距離MCU還具有一個(gè)12位ADC、一個(gè)12位DAC低功耗采樣保持、兩個(gè)超低功耗比較器(與高精度基準(zhǔn)電壓發(fā)生器相關(guān))。
STM32WLE4JCI6 器件包括一個(gè)低功耗RTC(帶一個(gè)32位亞秒喚醒計(jì)數(shù)器)、一個(gè)16位單通道定時(shí)器、兩個(gè)16位四通道定時(shí)器(支持電機(jī)控制)、一個(gè)32位四通道定時(shí)器和三個(gè)16位超低功耗定時(shí)器。它的工作溫度范圍為-40°C至+85°C,電源電壓范圍為1.8V至3.6V。借助全套省電模式,設(shè)計(jì)低功耗應(yīng)用。
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級(jí)溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,其采用先進(jìn)的專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進(jìn)專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉(zhuǎn)換器的效率。其最大結(jié)溫為175C,具有無尾關(guān)斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時(shí)為1.85V(典型值),并且參數(shù)分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場(chǎng)截止IGBT器件,其采用先進(jìn)的專有溝柵場(chǎng)運(yùn)算結(jié)構(gòu)開發(fā),旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數(shù)VCE(sat)和嚴(yán)格的參數(shù)分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術(shù)規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用場(chǎng)景如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場(chǎng)截止HB系列IGBT。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu),旨在優(yōu)化導(dǎo)通和開關(guān)損耗的平衡,從而提高任何頻率轉(zhuǎn)換器的效率?。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…電話咨詢:86-755-83294757
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