商品名稱:SCT020H120G3AG
數(shù)據(jù)手冊(cè):SCT020H120G3AG.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:H2PAK-7
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
SCT020H120G3AG器件是1200V,100A 汽車級(jí)碳化硅功率MOSFET采用意法半導(dǎo)體先進(jìn)創(chuàng)新的第三代SiC MOSFET技術(shù)開發(fā)的。該器件在整個(gè)溫度范圍內(nèi)具有非常低的RDS(on),結(jié)合低電容和非常高的開關(guān)操作,從而提高了頻率,能效,系統(tǒng)尺寸和重量減輕方面的應(yīng)用性能。
特性
?通過AEC-Q101認(rèn)證
?在整個(gè)溫度范圍內(nèi)非常低的RDS(on)
?高速交換性能
?非常快速和穩(wěn)健的內(nèi)在體二極管
?源感應(yīng)引腳,提高效率
應(yīng)用
?主逆變器(電力牽引)
?用于EV/HEV的DC/DC轉(zhuǎn)換器
?車載充電器(OBC)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營(yíng)收95.6億美元; 毛利率38.7%;營(yíng)業(yè)…
STM32FEBKC6T6A
STM32FEBKC6T6A是由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)設(shè)計(jì)生產(chǎn)的 32 位微控制器,采用 ARM Cortex-M3 內(nèi)核,工作頻率高達(dá) 72MHz,具有高性能和低功耗的特點(diǎn),適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。SPC563M64L5COAR
SPC563M64L5COAR是一款高性能 32 位汽車微控制器,基于 Power Architecture 技術(shù),專為汽車動(dòng)力系統(tǒng)應(yīng)用設(shè)計(jì)。STM32G070CBT6TR
STM32G070CBT6TR是意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)推出的基于 Arm Cortex-M0+ 內(nèi)核的 32 位微控制器,具有高性能、低功耗和豐富的外設(shè)接口,適用于多種嵌入式應(yīng)用。STGIPNS4C60T-H
STGIPNS4C60T-H是一款緊湊型高性能交流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,采用簡(jiǎn)潔卻堅(jiān)固的設(shè)計(jì)。由六個(gè)帶續(xù)流二極管的IGBT和三個(gè)用于柵極驅(qū)動(dòng)控制的半橋HVIC組成,具有低電磁干擾(EMI)特征和經(jīng)過優(yōu)化的開關(guān)速度。其特點(diǎn)和主要規(guī)格如下:特點(diǎn)包含用于柵極驅(qū)動(dòng)控制IC和續(xù)流二極管的IPM 3 A、600…STGY40NC60VD
STGY40NC60VD是一款N溝通 50A-600V的IGBT,適用于需要高電流和高頻率操作的應(yīng)用場(chǎng)景。STGY40NC60VD適用于需要高電流和高頻率操作的應(yīng)用場(chǎng)景,如工業(yè)控制、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電力轉(zhuǎn)換等。STGY40NC60VD的主要規(guī)格如下:IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電…STGB10NC60HDT4
STGB10NC60HDT4采用先進(jìn)的PowerMESH技術(shù),確保在開關(guān)性能和低導(dǎo)通狀態(tài)行為之間取得良好的平衡。該技術(shù)使得STGB10NC60HDT4在導(dǎo)通時(shí)的電壓降(VCE(sat))較低,且沒有交叉?zhèn)鲗?dǎo)的嫌疑,恢復(fù)特性非常軟且快速?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用領(lǐng)域如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:-電壓 - 集射極…電話咨詢:86-755-83294757
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