商品名稱:STM32L431RBI6
數(shù)據(jù)手冊(cè):STM32L431RBI6.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:64-UFBGA
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1200 件
STM32L431RBI6 - 超低功耗 Arm? Cortex?-M4 32 位 MCU+FPU,100DMIPS,高達(dá) 256KB 閃存,64KB SRAM,模擬,音頻
產(chǎn)品描述
STM32L431RBI6 是基于高性能 Arm? Cortex?-M4 32 位 RISC 內(nèi)核的超低功耗微控制器,工作頻率高達(dá) 80 MHz。Cortex-M4 內(nèi)核具有單精度浮點(diǎn)運(yùn)算單元 (FPU),支持所有 Arm? 單精度數(shù)據(jù)處理指令和數(shù)據(jù)類型。它還實(shí)現(xiàn)了全套 DSP 指令和內(nèi)存保護(hù)單元 (MPU),從而提高了應(yīng)用的安全性。
產(chǎn)品特性
通過(guò) FlexPowerControl 實(shí)現(xiàn)超低功耗
- 1.71V 至 3.6V 電源
-40°C 至 85/105/125°C 的溫度范圍
- VBAT 模式下 200nA:為 RTC 和 32x32 位備份寄存器供電
- 8nA 關(guān)機(jī)模式(5 個(gè)喚醒引腳)
- 28nA 待機(jī)模式(5 個(gè)喚醒引腳)
- 280nA 帶 RTC 的待機(jī)模式
- 1.0μA 停止 2 模式,1.28μA(帶 RTC
- 84μA/MHz 運(yùn)行模式
- 批量采集模式 (BAM)
- 4μs 從停止模式喚醒
存儲(chǔ)器
- 高達(dá) 256 KB 單組閃存,專有代碼讀出保護(hù)
- 64 KB SRAM,其中 16 KB 具有硬件奇偶校驗(yàn)功能
- 四 SPI 存儲(chǔ)器接口
14 通道 DMA 控制器
多達(dá) 83 個(gè)快速 I/O,大部分具有 5 V 容差
帶硬件日歷、警報(bào)和校準(zhǔn)功能的 RTC
多達(dá) 21 個(gè)電容式感應(yīng)通道:支持觸摸鍵、線性和旋轉(zhuǎn)式觸摸傳感器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
NXP
LQFP-64
22000
ARM 微控制器 - MCU Kinetis E 32 位 MCU、ARM Cortex-M4 內(nèi)核、128KB 閃存、48MHz、QFP 64
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營(yíng)收95.6億美元; 毛利率38.7%;營(yíng)業(yè)…
STM32FEBKC6T6A
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STGY40NC60VD是一款N溝通 50A-600V的IGBT,適用于需要高電流和高頻率操作的應(yīng)用場(chǎng)景。STGY40NC60VD適用于需要高電流和高頻率操作的應(yīng)用場(chǎng)景,如工業(yè)控制、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電力轉(zhuǎn)換等。STGY40NC60VD的主要規(guī)格如下:IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電…STGB10NC60HDT4
STGB10NC60HDT4采用先進(jìn)的PowerMESH技術(shù),確保在開(kāi)關(guān)性能和低導(dǎo)通狀態(tài)行為之間取得良好的平衡。該技術(shù)使得STGB10NC60HDT4在導(dǎo)通時(shí)的電壓降(VCE(sat))較低,且沒(méi)有交叉?zhèn)鲗?dǎo)的嫌疑,恢復(fù)特性非常軟且快速?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用領(lǐng)域如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:-電壓 - 集射極…電話咨詢:86-755-83294757
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