商品名稱:FGA40T65SHD
數(shù)據(jù)手冊:FGA40T65SHD.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:TO-3P
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:6000 件
安森美半導(dǎo)體的 FGA40T65SHD 新型場截止第 3 代 IGBT 系列采用新型場截止 IGBT 技術(shù),為太陽能逆變器、UPS、焊接機(jī)、電信、ESS 和 PFC 等低導(dǎo)通和開關(guān)損耗至關(guān)重要的應(yīng)用。
屬性
IGBT 類型: 溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿(最大值): 650 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值): 80 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm) :120 A
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值) :2.1V @ 15V,40A
功率 - 最大值: 268 W
開關(guān)能量: 1.01mJ(開),297μJ(關(guān))
輸入類型: 標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷: 72.2 nC
25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值: 19.2ns/65.6ns
測試條件:400V,40A,6 歐姆,15V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr) :31.8 ns
工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-3P-3,SC-65-3
供應(yīng)商器件封裝:TO-3PN
基本產(chǎn)品編號:FGA40N65
應(yīng)用
? 太陽能逆變器,UPS,焊機(jī),電信,ESS, PFC
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor) 推出的一款三相無刷直流(BLDC)電機(jī)預(yù)驅(qū)動(dòng)器,專為汽車電子、工業(yè)控制及消費(fèi)類電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用設(shè)計(jì)。UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…電話咨詢:86-755-83294757
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