商品名稱:NCV7726DQAR2G
數(shù)據(jù)手冊:NCV7726DQAR2G.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:SSOP-24
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:5500 件
NCV7726DQAR2G是一款具有保護功能的十二通道半橋驅(qū)動器,專為汽車和工業(yè)運動控制應(yīng)用而設(shè)計。該產(chǎn)品具有獨立的控制和診斷功能,驅(qū)動器可在正向、反向、制動和高阻抗?fàn)顟B(tài)下運行。該器件通過 16 位 SPI 接口控制,并兼容菊花鏈。
產(chǎn)品屬性
輸出配置: 半橋(12)
應(yīng)用: DC 電機,通用
接口: 邏輯,SPI
負載類型: 電感
技術(shù): NMOS
導(dǎo)通電阻(典型值): 850 毫歐 LS,850 毫歐 HS
電流 - 輸出/通道: 500mA
電流 - 峰值輸出: 1.1A
電壓 - 供電: 3.15V ~ 5.25V
電壓 - 負載: 5.5V ~ 32V
工作溫度: -40°C ~ 125°C(TJ)
特性: 充電泵
故障保護: 過流,超溫,過壓,UVLO
安裝類型: 表面貼裝型
封裝/外殼 :24-LSSOP(0.154",3.90mm 寬)裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝: 24-SSOP-EP
典型應(yīng)用
? 汽車
? 工業(yè)應(yīng)用
? 用于 HVAC 應(yīng)用的直流電機管理
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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