商品名稱:STM32H750IBK6
數(shù)據(jù)手冊:STM32H750IBK6.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:BGA176
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:5000 件
STM32H750IBK6 高性能MCU基于高性能Arm? Cortex?-M7 32位RISC內(nèi)核,工作頻率高達(dá)400MHz。Cortex-M7內(nèi)核具有浮點(diǎn)單元 (FPU) 精度,支持Arm雙精度(符合IEEE 754標(biāo)準(zhǔn))和單精度數(shù)據(jù)處理指令與數(shù)據(jù)類型。STM32H7 MCU支持全套DSP指令和存儲器保護(hù)單元 (MPU),可增強(qiáng)應(yīng)用的安全性。
產(chǎn)品屬性
系列:STM32H7
核心處理器: ARM? Cortex?-M7
內(nèi)核規(guī)格: 32 位單核
速度: 480MHz
連接能力:CANbus,EBI/EMI,以太網(wǎng),I2C,IrDA,LINbus,MDIO,MMC/SD/SDIO,QSPI,SAI,SPDIF,SPI,SWPMI,UART/USART,USB OTG
外設(shè): 欠壓檢測/復(fù)位,DMA,I2S,LCD,POR,PWM,WDT
I/O 數(shù): 140
程序存儲容量:128KB(128K x 8)
程序存儲器類型 :閃存
EEPROM 容量: -
RAM 大?。?1M x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd) :1.62V ~ 3.6V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器: A/D 36x16b; D/A 2x12b
振蕩器類型: 內(nèi)部
工作溫度: -40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型: 表面貼裝型
封裝/外殼:201-UFBGA
供應(yīng)商器件封裝: 176+25UFBGA(10x10)
基本產(chǎn)品編號:STM32H750
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
BGA
3000
TriCore? TC17xx 微控制器 IC 32 位單核 240MHz 4MB(4M x 8) 閃存 PG-LFBGA-292-6
Microchip
VQFN-20
6000
AVR tinyAVR? 1, Functional Safety (FuSa) 微控制器 IC 8 位 20MHz 8KB(8K x 8) 閃存 20-VQFN(3x3)
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,其采用先進(jìn)的專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu)開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進(jìn)專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu)的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉(zhuǎn)換器的效率。其最大結(jié)溫為175C,具有無尾關(guān)斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時為1.85V(典型值),并且參數(shù)分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場截止IGBT器件,其采用先進(jìn)的專有溝柵場運(yùn)算結(jié)構(gòu)開發(fā),旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數(shù)VCE(sat)和嚴(yán)格的參數(shù)分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術(shù)規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用場景如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場截止HB系列IGBT。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu),旨在優(yōu)化導(dǎo)通和開關(guān)損耗的平衡,從而提高任何頻率轉(zhuǎn)換器的效率?。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…電話咨詢:86-755-83294757
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