商品名稱：W25M121AVEITS
數(shù)據(jù)手冊：
W25M121AVEITS.pdf
品牌：Winbond
年份：23+
封裝：8-WSON
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
W25M121AVEITS （128M位串行NOR+1G位串行NAND）串行MCP（多芯片封裝）閃存基于流行的W25Q/W25N SpiFlash?系列，將W25Q128JV和W25N01GV堆疊到標(biāo)準(zhǔn)8引腳封裝中。它為低引腳數(shù)封裝提供了靈活的內(nèi)存密度和可靠性組合，并首次在串行閃存中實現(xiàn)了并發(fā)操作。W25M SPISTACK?系列非常適合小型系統(tǒng)設(shè)計和要求高編程/擦除數(shù)據(jù)吞吐量的應(yīng)用。
規(guī)格
存儲器類型：非易失
存儲器格式：閃存
技術(shù)：FLASH - NAND，F(xiàn)LASH - NOR
存儲容量：128Mb（NOR 閃存），1Gb（NAND 閃存）
存儲器組織：16M x 8（FLASH-NOR），128M x 8（FLASH-NAND）
存儲器接口：SPI - 四 I/O
時鐘頻率：133 MHz
寫周期時間 - 字，頁：3ms
訪問時間：6 ns
電壓 - 供電：2.7V ~ 3.6V
工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：8-WDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝：8-WSON（8x6）
基本產(chǎn)品編號：W25M121
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
24-TBGA
1000
FLASH - NOR（SLC） 存儲器 IC 64Mbit SPI - 四 I/O，QPI 108 MHz 6 ns 24-BGA（8x6）
INFINEON
24-TBGA
1000
FLASH - NOR（SLC） 存儲器 IC 64Mbit SPI - 四 I/O，QPI 108 MHz 6 ns 24-BGA（8x6）
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Winbond Electronics - Winbond Electronics Corporation是一家存儲器 IC 公司，致力于設(shè)計、制造和銷售服務(wù)，向全球客戶提供高品質(zhì)存儲器解決方案。 產(chǎn)品線包括代碼存儲閃存、串行和并行 NAND、特殊 DRAM 和移動 DRAM。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)垂直市場領(lǐng)域的各個公司，涵蓋…
W25Q80EWUXIE
W25Q80EWUXIE（8M 位）串行閃存為空間、引腳和功耗有限的系統(tǒng)提供了存儲解決方案。
W66BP2NQUAFJ
W66BP2NQUAFJ器件是一款2Gb低功耗DDR4 SDRAM，適合支持edge AI的設(shè)備。說明：LPDDR4是一款低功耗動態(tài)RAM，與LPDDR3芯片相比有顯著改進。就像低功耗類別中的早期迭代一樣，LPDDR4在其時鐘信號的上升沿和下降沿傳輸數(shù)據(jù)。然而，它在不改變時鐘頻率的情況下實現(xiàn)了更大的帶寬…
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W632GU6QB-09器件是一款2Gb同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存器件。該DDR3 SDRAM提供了比DDR2 SDRAM更大的帶寬廣並泛用于汽車，工業(yè)，電視，機頂盒，網(wǎng)絡(luò)設(shè)備，計算機，BD播放器等。W632GU6QB-09的規(guī)格：存儲器類型：易失存儲器格式：DRAM技術(shù)：SDRAM - DDR3L存儲容量：2Gb存儲器組織…
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W9825G6KH-6I是一種高速同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM），以 4M 字 ? 4 個庫 16 位組織。W9825G6KH 的數(shù)據(jù)帶寬高達每秒 2 億字。產(chǎn)品屬性存儲器類型： 易失 存儲器格式： DRAM 技術(shù)： SDRAM 存儲容量： 256Mb 存儲器組織： 16M x 16 存儲器接口： 并聯(lián) 時鐘頻率：…電話咨詢：86-755-83294757
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