商品名稱：W631GU8NB11I
數(shù)據(jù)手冊：
W631GU8NB11I.pdf
品牌：Winbond
年份：23+
封裝：78-VFBGA
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
W631GU8NB11I 是一款密度為1Gb的同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存（SDRAM）DDR3L，由16,777,216字、8個存儲體和8位組成。該器件可實現(xiàn)高達2133 MT/s（DDR3L-2133）的高速傳輸速率，適用于各種應(yīng)用。W631GU8NB的設(shè)計符合以下關(guān)鍵DDR3L SDRAM功能，如發(fā)布CAS#、可編程CAS#寫入延遲（CWL）、ZQ校準、芯片端接和異步復位。
規(guī)格
存儲器類型：易失
存儲器格式：DRAM
技術(shù)：SDRAM - DDR3L
存儲容量：1Gb
存儲器組織：128M x 8
存儲器接口：并聯(lián)
時鐘頻率：933 MHz
寫周期時間 - 字，頁：15ns
訪問時間：20 ns
電壓 - 供電：1.283V ~ 1.45V，1.425V ~ 1.575V
工作溫度：-40°C ~ 95°C（TC）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：78-VFBGA
供應(yīng)商器件封裝：78-VFBGA（8x10.5）
基本產(chǎn)品編號：W631GU8
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
SK hynix
FBGA-200
1000
Mem-SDRAM-Lpddr4, 16Gb(2Gb), 2Chx16, 3733Mbps, FBGA-200 (15.1X10.1)mm X 1mm Max H
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Winbond Electronics - Winbond Electronics Corporation是一家存儲器 IC 公司，致力于設(shè)計、制造和銷售服務(wù)，向全球客戶提供高品質(zhì)存儲器解決方案。 產(chǎn)品線包括代碼存儲閃存、串行和并行 NAND、特殊 DRAM 和移動 DRAM。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)垂直市場領(lǐng)域的各個公司，涵蓋…
W25Q80EWUXIE
W25Q80EWUXIE（8M 位）串行閃存為空間、引腳和功耗有限的系統(tǒng)提供了存儲解決方案。
W66BP2NQUAFJ
W66BP2NQUAFJ器件是一款2Gb低功耗DDR4 SDRAM，適合支持edge AI的設(shè)備。說明：LPDDR4是一款低功耗動態(tài)RAM，與LPDDR3芯片相比有顯著改進。就像低功耗類別中的早期迭代一樣，LPDDR4在其時鐘信號的上升沿和下降沿傳輸數(shù)據(jù)。然而，它在不改變時鐘頻率的情況下實現(xiàn)了更大的帶寬…
W632GU6QB-09
W632GU6QB-09器件是一款2Gb同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存器件。該DDR3 SDRAM提供了比DDR2 SDRAM更大的帶寬廣並泛用于汽車，工業(yè)，電視，機頂盒，網(wǎng)絡(luò)設(shè)備，計算機，BD播放器等。W632GU6QB-09的規(guī)格：存儲器類型：易失存儲器格式：DRAM技術(shù)：SDRAM - DDR3L存儲容量：2Gb存儲器組織…
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W958D6NBKX5I是一款密度為256Mb的移動隨機存取內(nèi)存器件。HyperRAMTM比PSRAM具有更高的吞吐量和更小的外形尺寸。W958D6NBKX5I的規(guī)格：存儲器類型：易失存儲器格式：PSRAM技術(shù)：PSRAM（偽 SRAM）存儲容量：256Mb存儲器組織：16M x 16存儲器接口：HyperBus時鐘頻率：200 MHz…
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W634GU6RB11I是一款4Gbit、第三代雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存器件。說明：DDR3 SDRAM提供了比DDR2 SDRAM更大的帶寬廣並泛用于汽車，工業(yè)，電視，機頂盒，網(wǎng)絡(luò)設(shè)備，計算機，BD播放器等。W634GU6RB11I的規(guī)格：存儲器類型：易失存儲器格式：DRAM技術(shù)：SDRAM - DD…
W9825G6KH-6I
W9825G6KH-6I是一種高速同步動態(tài)隨機存取存儲器（SDRAM），以 4M 字 ? 4 個庫 16 位組織。W9825G6KH 的數(shù)據(jù)帶寬高達每秒 2 億字。產(chǎn)品屬性存儲器類型： 易失 存儲器格式： DRAM 技術(shù)： SDRAM 存儲容量： 256Mb 存儲器組織： 16M x 16 存儲器接口： 并聯(lián) 時鐘頻率：…電話咨詢：86-755-83294757
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