商品名稱：BSM450D12P4G102
數(shù)據(jù)手冊：
BSM450D12P4G102.pdf
品牌：ROHM
年份：23+
封裝：MODULE
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
BSM450D12P4G102 帶溝槽式 MOSFET 的 1200V、447A、半橋、全 SiC 功率模塊。
規(guī)格
技術： 碳化硅（SiC）
配置： 2 個 N 溝道
FET 功能： 標準
漏源電壓（Vdss） ：1200V（1.2kV）
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：447A（Tc）
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 4.8V @ 218.4mA
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 44000pF @ 10V
功率 - 最大值： 1.45kW（Tc）
工作溫度： 175°C（TJ）
安裝類型： 底座安裝
封裝/外殼： 模塊
供應商器件封裝： 模塊
應用
電機驅動
變頻器、轉換器
光伏、風力發(fā)電
感應加熱設備
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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RGA80TSX2EHRC11
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