商品名稱:BUK7S2R0-40HJ
數(shù)據(jù)手冊:BUK7S2R0-40HJ.pdf
品牌:Nexperia
年份:23+
封裝:LFPAK88
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
BUK7S2R0-40HJ 40V Trench 9汽車用MOSFET采用創(chuàng)新的LFPAK88封裝,具有業(yè)界領(lǐng)先的功率密度,是D2PAK的替代產(chǎn)品。該產(chǎn)品經(jīng)過全面設(shè)計(jì)和認(rèn)證,可滿足AEC-Q101的要求,提供高性能和高可靠性。
規(guī)格
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):40 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):190A(Ta)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):2 毫歐 @ 25A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.6V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):70 nC @ 10 V
Vgs(最大值):+20V,-10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):5075 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):183W(Ta)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:LFPAK88(SOT1235)
封裝/外殼:SOT-1235
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安世半導(dǎo)體(中國)有限公司 Nexperia是全球領(lǐng)先的分立式器件、邏輯器件與MOSFET器件的專業(yè)制造商。公司于2017年初獨(dú)立。Nexperia極為重視效率,生產(chǎn)大批量性能可靠穩(wěn)定的半導(dǎo)體元件,每年生產(chǎn)1,000多億件性能可靠穩(wěn)定的半導(dǎo)體元件。公司擁有豐富的產(chǎn)品組合,能夠滿足汽車…
PSC2065JJ
PSC2065JJ SiC 肖特基二極管用于超高性能、低損耗、高效率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該 SiC 肖特基二極管封裝在 TO-263-2 通孔功率塑料封裝中,具有不受溫度影響的電容關(guān)斷、零恢復(fù)開關(guān)特性以及出色的性能。PSC2065JJ 的特點(diǎn)零正向和反向恢復(fù)降低系統(tǒng)成本與溫度無關(guān)的快速平穩(wěn)開關(guān)…PSC2065LQ
PSC2065LQ SiC 肖特基二極管用于超高性能、低損耗、高效率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該 SiC 肖特基二極管封裝在 TO-247-2 通孔功率塑料封裝中,具有不受溫度影響的電容關(guān)斷、零恢復(fù)開關(guān)特性以及出色的性能。PSC2065LQ 的特點(diǎn)零正向和反向恢復(fù)降低系統(tǒng)成本與溫度無關(guān)的快速平穩(wěn)開關(guān)…GAN039-650NTBZ
GAN039-650NTBZ是一款650V、33 mΩ氮化鎵(GaN) FET,采用CCPAK1212i倒裝封裝,具有低電感、低開關(guān)損耗和高可靠性。GAN039-650NTBZ的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):GaNFET(氮化鎵)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):58.5A(Tc)驅(qū)動電壓(最大 Rds On,…GAN039-650NBBHP
GAN039-650NBBHP是一款650 V、33mΩ氮化鎵(GaN) FET,采用CCPAK1212封裝。該器件采用無引線接合,可優(yōu)化散熱和電氣性能,提供共源共柵配置,無需復(fù)雜的驅(qū)動器和控制。GAN039-650NBBHP的規(guī)格:FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電…GANB4R8-040CBAZ
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