商品名稱:PSMN3R2-40YLDX
數(shù)據(jù)手冊:PSMN3R2-40YLDX.pdf
品牌:Nexperia
年份:23+
封裝:LFPAK56
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
PSMN3R2-40YLDX 120A、邏輯電平柵極驅(qū)動N溝道增強型MOSFET,采用175°C LFPAK56封裝和先進的TrenchMOS超級結(jié)技術(shù)。該產(chǎn)品專為高性能電源開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計并經(jīng)過認證。
規(guī)格
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):40 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):120A(Ta)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):3.3 毫歐 @ 25A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.05V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):57 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):4103 pF @ 20 V
FET 功能:肖特基二極管(體)
功率耗散(最大值):115W(Ta)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8
封裝/外殼:SC-100,SOT-669
基本產(chǎn)品編號:PSMN3R2
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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安世半導(dǎo)體(中國)有限公司 Nexperia是全球領(lǐng)先的分立式器件、邏輯器件與MOSFET器件的專業(yè)制造商。公司于2017年初獨立。Nexperia極為重視效率,生產(chǎn)大批量性能可靠穩(wěn)定的半導(dǎo)體元件,每年生產(chǎn)1,000多億件性能可靠穩(wěn)定的半導(dǎo)體元件。公司擁有豐富的產(chǎn)品組合,能夠滿足汽車…
PSC2065JJ
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PSC2065LQ SiC 肖特基二極管用于超高性能、低損耗、高效率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該 SiC 肖特基二極管封裝在 TO-247-2 通孔功率塑料封裝中,具有不受溫度影響的電容關(guān)斷、零恢復(fù)開關(guān)特性以及出色的性能。PSC2065LQ 的特點零正向和反向恢復(fù)降低系統(tǒng)成本與溫度無關(guān)的快速平穩(wěn)開關(guān)…GAN039-650NTBZ
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