商品名稱:ST4SI2M0020TPIFW
數(shù)據(jù)手冊:ST4SI2M0020TPIFW.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:8-VDFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
ST4SI2M0020TPIFW 是意法半導(dǎo)體為所有工業(yè)設(shè)備設(shè)計(jì)的頂級(jí) GSMA 嵌入式 SIM(eSIM 或 eUICC)產(chǎn)品。它符合 GSM 協(xié)會(huì) (GSMA) 遠(yuǎn)程配置規(guī)范 SGP.02 v3.2。
功能
符合 GSMA M2M 和 SIMalliance 規(guī)范的遠(yuǎn)程 SIM 配置
由可信合作伙伴提供引導(dǎo)連接配置文件
最多 7 個(gè)連接配置文件(取決于內(nèi)存大?。?/span>
兼容 2G / 3G / 4G (LTE) / CDMA / NB-IoT / CAT-M 網(wǎng)絡(luò)
支持網(wǎng)絡(luò)接入應(yīng)用: SIM / USIM / ISIM / CSIM
安全元素訪問控制(ARF / PKCS#15)
通過 SMS、CAT-TP 和 HTTPS(包括 DNS)實(shí)現(xiàn) OTA 功能
可結(jié)合 eSIM + eSE 的多接口
應(yīng)用
蜂窩連接節(jié)點(diǎn)
LTE Cat M1 和 NBIoT
監(jiān)控
智能家居和城市物聯(lián)網(wǎng),如燃?xì)庥?jì)量
智能工業(yè)物聯(lián)網(wǎng),如跟蹤
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
PG-TSLP-10-2
1000
RF IC 數(shù)字調(diào)諧電容器,SPDT 通用 400MHz ~ 3.8GHz MIPI 接口 PG-TSLP-10-2
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級(jí)溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,其采用先進(jìn)的專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu)開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進(jìn)專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu)的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉(zhuǎn)換器的效率。其最大結(jié)溫為175C,具有無尾關(guān)斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時(shí)為1.85V(典型值),并且參數(shù)分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場截止IGBT器件,其采用先進(jìn)的專有溝柵場運(yùn)算結(jié)構(gòu)開發(fā),旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數(shù)VCE(sat)和嚴(yán)格的參數(shù)分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術(shù)規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用場景如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場截止HB系列IGBT。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu),旨在優(yōu)化導(dǎo)通和開關(guān)損耗的平衡,從而提高任何頻率轉(zhuǎn)換器的效率?。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…電話咨詢:86-755-83294757
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