商品名稱:NV6134A-RA
數(shù)據(jù)手冊(cè):NV6134A-RA.pdf
品牌:Navitas
年份:23+
封裝:30-QFN
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
NV6134A-RA集成電路集成了高性能的eMode GaN FET,集成了柵極驅(qū)動(dòng),實(shí)現(xiàn)了前所未有的高頻率運(yùn)行。還集成了 GaNSense? 技術(shù),實(shí)現(xiàn)了對(duì)電壓、電流和溫度的實(shí)時(shí)、準(zhǔn)確感應(yīng),進(jìn)一步提高了性能和穩(wěn)健性。任何分立氮化鎵或分立硅器件都無(wú)法實(shí)現(xiàn),GaNSense? 實(shí)現(xiàn)了集成無(wú)損耗電流檢測(cè),從而消除了外部電流檢測(cè)電阻器,提高了系統(tǒng)效率。
產(chǎn)品屬性
開(kāi)關(guān)類型:通用
輸出數(shù):1
比率 - 輸入:輸出:1:1
輸出配置:高/低端
輸出類型:N 通道
接口:PWM
電壓 - 負(fù)載:700V
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd):9V ~ 24V
電流 - 輸出(最大值):10A
導(dǎo)通電阻(典型值):260 毫歐
輸入類型:非反相
特性:PWM 輸入,壓擺率受控型
故障保護(hù):限流(固定),超溫,短路,UVLO
工作溫度:-55°C ~ 150°C
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:30-QFN(6x8)
封裝/外殼:30-PowerVQFN
應(yīng)用
● 交流-直流,直流-直流,直流-交流
● QR 反激式、ACF、降壓、升壓、半橋、全橋、LLC 諧振、D 類、PFC
● 無(wú)線供電、太陽(yáng)能微型逆變器
● LED 照明、電視 SMPS、服務(wù)器、電信
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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納微半導(dǎo)體(Navitas Semiconductor)成立于 2014 年,專注于開(kāi)發(fā)超高效的氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)品。 2022年1月,納微半導(dǎo)體宣布開(kāi)設(shè)新的電動(dòng)汽車 (EV) 設(shè)計(jì)中心,進(jìn)一步擴(kuò)展到更高功率的氮化鎵市場(chǎng)。氮化鎵功率芯片企業(yè)納微半導(dǎo)體宣布推出全新一代采用GaNSense技術(shù)的智能GaNFas…
G2R1000MT33J
G2R1000MT33J器件是一款3300 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管,其低導(dǎo)通電阻為1000mΩ,有助于減少能量損耗,提高系統(tǒng)效率。基本參數(shù)漏源電壓(Vdss)?:3300V?連續(xù)漏極電流(Id)?:4A(在25C時(shí))?驅(qū)動(dòng)電壓(Vgs)?:最大20V?導(dǎo)通電阻(RdsOn)?:1000mΩ?功率耗散(…NV6115-RA
NV6115-RA芯片的導(dǎo)阻為170mΩ,耐壓650V,支持2MHz開(kāi)關(guān)頻率,采用5*6mm QFN封裝,節(jié)省面積,得益于NV6115內(nèi)置驅(qū)動(dòng)器,無(wú)需外置驅(qū)動(dòng)器,更加節(jié)省PCB空間。GaNFast 功率集成電路將反激式、半橋、諧振等傳統(tǒng)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的功能擴(kuò)展到 MHz 以上,使突破性設(shè)計(jì)得以商業(yè)化。產(chǎn)品屬性…NV6117-RA
這款 NV6117-RA GaNFast 功率集成電路針對(duì)高頻軟開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化。場(chǎng)效應(yīng)晶體管、驅(qū)動(dòng)和邏輯的單片集成創(chuàng)造了一個(gè)易于使用的 "數(shù)字輸入、電源輸出 "高性能動(dòng)力總成構(gòu)件,使設(shè)計(jì)人員能夠創(chuàng)建世界上速度最快、體積最小、效率最高的電源轉(zhuǎn)換器。最高的 dV/…NV6132A-RA
NV6132A-RA 這款 GaNFast? 功率集成電路集成了帶集成柵極驅(qū)動(dòng)的高性能 eMode GaN FET,可實(shí)現(xiàn)前所未有的高頻和高效率運(yùn)行。它還集成了 GaNSense? 技術(shù),可實(shí)時(shí)、準(zhǔn)確地檢測(cè)電壓、電流和溫度,從而進(jìn)一步提高性能和穩(wěn)健性,這是任何分立氮化鎵或分立硅器件都無(wú)法實(shí)現(xiàn)的。…NV6152-RA
NV6152-RA 這款 GaNFast? 功率集成電路集成了高性能 eMode GaN FET 和集成柵極驅(qū)動(dòng),可實(shí)現(xiàn)前所未有的高頻和高效率運(yùn)行。產(chǎn)品特性GaNFast? 功率集成電路- 單片集成柵極驅(qū)動(dòng)- 寬 VCC 范圍(10 至 30 V)- 可編程導(dǎo)通 dV/dt- 200 V/ns dV/dt 抗擾度- 800 V 額定瞬態(tài)電壓-…NV6153-RA
NV6153-RA GaNFast? 功率集成電路集成了高性能 eMode GaN FET 和集成柵極驅(qū)動(dòng),可實(shí)現(xiàn)前所未有的高頻和高效率運(yùn)行。功能特點(diǎn)單片集成柵極驅(qū)動(dòng)寬 VCC 范圍(10 至 30 V)可編程導(dǎo)通 dV/dt200 V/ns dV/dt 抗擾度800 V 額定瞬態(tài)電壓700 V 額定連續(xù)電壓300 mΩ 低電阻零反向…電話咨詢:86-755-83294757
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