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IAUC41N06S5N102ATMA1 60V 汽車級OptiMOS ?-5 MOSFET具有低漏源導通電阻、低柵極電荷和低柵極電容，可最大限度地降低導通和開關損耗。該MOSFET符合汽車應用類AEC-Q101標準。

規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：47A（Tj）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：7V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：10.2 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.4V @ 13μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：16.3 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1112.1 pF @ 30 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：42W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PG-TDSON-8-33

封裝/外殼：8-PowerTDFN

應用

通用汽車應用

直流-直流系統(tǒng)

LED照明

無線充電

ADAS

CAV (24V)應用

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