商品名稱:NCH-RSL10-101Q48-ABG
數(shù)據(jù)手冊:NCH-RSL10-101Q48-ABG.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:48-QFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NCH-RSL10-101Q48-ABG是一款超低功耗、高度靈活的多協(xié)議2.4 GHz 無線電設備,專門設計用于高性能可穿戴和醫(yī)療應用。采用 Arm? Cortex?-M3處理器和 LPDSP32 DSP 內核,RSL10 支持低功耗藍牙技術和 2.4 GHz 無線通信技術,同時不影響功耗。
產(chǎn)品屬性
類型:TxRx + MCU
射頻系列/標準:藍牙
協(xié)議:藍牙 v5.0
調制:FSK,GFSK
頻率:2.4GHz
數(shù)據(jù)速率(最大值):2Mbps
功率 - 輸出:6dBm
靈敏度:-94dBm
串行接口:I2C,SPI,UART
電壓 - 供電:3.3V
電流 - 接收:3mA ~ 6.2mA
電流 - 傳輸:12mA ~ 25mA
工作溫度:-40°C ~ 85°C
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:48-VFQFN 裸露焊盤
供應商器件封裝:48-QFN(6x6)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術:SiC(碳化硅結晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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