商品名稱:STM32F405RGT6
數(shù)據(jù)手冊:STM32F405RGT6.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:64-LQFP
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:5000 件
STM32F405RGT6 MCU ARM M4 32位單核168MHz微控制器IC 64-LQFP
STM32F405RGT6的產(chǎn)品說明
STM32F405RGT6基于高性能Arm?Cortex?-M4 32位RISC內(nèi)核,工作頻率高達168 MHz。Cortex-M4內(nèi)核具有單精度浮點單元(FPU),支持所有Arm單精度數(shù)據(jù)處理指令和數(shù)據(jù)類型。它還實現(xiàn)了一整套DSP指令和一個內(nèi)存保護單元(MPU),增強了應用的安全性。
STM32F405RGT6的規(guī)格
速度:168MHz
連接性:CANbus、I2C、IrDA、LINbus、SPI、UART/USART、USB OTG
外設:欠壓檢測/復位、DMA、I2S、LCD、POR、PWM、WDT
I/O數(shù)量:51
程序存儲器大?。?MB (1M x 8)
程序存儲器類型:FLASH
RAM大小:192K x 8
電壓 - 電源(Vcc/Vdd):1.8V ~ 3.6V
數(shù)據(jù)轉換器:A/D 16x12b; D/A 2x12b
振蕩器類型:內(nèi)部
工作溫度:-40°C ~ 85°C (TA)
STM32F405RGT6的特點
時鐘、復位和電源管理
1.8 V至3.6 V應用電源和I/O
POR、PDR、PVD和BOR
4-26 MHz晶體振蕩器
內(nèi)部16兆赫工廠調(diào)整的RC(1%精度)
用于RTC的32 kHz振蕩器,帶校準功能
內(nèi)部32 kHz RC,帶校準
STM32F405RGT6的應用
打印機和掃描器
報警系統(tǒng)、視頻對講機和HVAC
家庭音頻設備
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
UFQFPN-20
2000
ARM? Cortex?-M0+ STM32L0 微控制器 IC 32 位單核 32MHz 16KB(16K x 8) 閃存 20-UFQFPN(3x3)
ST
LQFP32
10000
ARM? Cortex?-M4 STM32F3 微控制器 IC 32 位單核 72MHz 64KB(64K x 8) 閃存 32-LQFP(7x7)
ST
LQFP-100
2500
ARM? Cortex?-M4 STM32F4 微控制器 IC 32 位單核 168MHz 1MB(1M x 8) 閃存 100-LQFP(14x14)
ST
LQFP48
3000
ARM? Cortex?-M0 STM32F0 微控制器 IC 32 位單核 48MHz 256KB(256K x 8) 閃存 48-LQFP(7x7)
INFINEON
100-TQFP
1000
ARM? Cortex?-M0+ PSOC? 4 CY8C4100S 微控制器 IC 32-位 48MHz 384KB(384K x 8) 閃存
TI
LQFP-144
1000
Hercules? TMS570 ARM? Cortex?-R 微控制器 IC 16/32-位 160MHz 3MB(3M x 8) 閃存 144-LQFP(20x20)
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意法半導體(ST)集團于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導體有限公司。意法半導體是世界最大的半導體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,其采用先進的專有溝槽柵場截止結構開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進專有溝槽柵場截止結構的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實現(xiàn)傳導損耗和開關損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉換器的效率。其最大結溫為175C,具有無尾關斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時為1.85V(典型值),并且參數(shù)分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場截止IGBT器件,其采用先進的專有溝柵場運算結構開發(fā),旨在實現(xiàn)傳導和開關損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術規(guī)格和典型應用如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數(shù)VCE(sat)和嚴格的參數(shù)分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術規(guī)格和應用場景如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場截止HB系列IGBT。該產(chǎn)品采用先進的專有溝槽柵場截止結構,旨在優(yōu)化導通和開關損耗的平衡,從而提高任何頻率轉換器的效率?。其技術規(guī)格和典型應用如下:技術規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…電話咨詢:86-755-83294757
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