商品名稱:NIV6150MT2TXG
數據手冊:NIV6150MT2TXG.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:10-WFDFN
貨期:全新原裝
庫存數量:3000 件
NIV6150MT2TXG 是一款高性價比的自恢復保險絲,可大大提高 USB 應用的可靠性,防止災難性故障和關斷故障。
特性
200 米最大 RDS(導通)
集成反向電流保護
可調輸出限流保護,帶熱關斷功能
IEC61000-4-2 4 級 ESD 保護,Vbus 最高達 ±7 kV
具有可選電平的快速響應過壓鉗位電路
內部欠壓鎖定電路
數字使能,帶用于故障識別的單獨 FLAG
集成電流監(jiān)控
提供閉鎖和自動復位選項
NIV 前綴,適用于汽車和其他需要獨特的現場和控制變更要求的應用;通過 AEC-Q100 認證并可進行 PPAP 生產
這些器件無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑,符合 RoHS 規(guī)范
應用
汽車信息娛樂系統(tǒng)
USB 2.0/3.0/3.1 Vbus
固態(tài)硬盤
主板
型號
品牌
封裝
數量
描述
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安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)是應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商。公司的產品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應用的獨…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數:FET 類型:N 通道技術:SiC(碳化硅結晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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