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AI 處理器

AI 加速器

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規(guī)格型號

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫存

購買數(shù)量

單價

操作

IMZA65R026M2H

產(chǎn)品說明:650V,26mΩ,碳化硅 CoolSiC? MOSFET 晶體管,TO-247-4

封裝:TO-247-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA65R010M2H

產(chǎn)品說明:650V、10mΩ、碳化硅 CoolSiC? MOSFET 晶體管,TO-247-4

封裝:TO-247-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW65R060M2H

產(chǎn)品說明:650V、60mΩ、碳化硅 CoolSiC? MOSFET 晶體管,TO-247-3

封裝:TO-247-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZC120R078M2H

產(chǎn)品說明:CoolSiC? MOSFET 分立式 1200 V G2,采用 TO-247 4 引腳高爬電封裝

封裝:TO-247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW65R033M2H

產(chǎn)品說明:650V、33mΩ、碳化硅 CoolSiC? MOSFET 晶體管,TO-247-3

封裝:TO-247-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZC120R053M2

產(chǎn)品說明:CoolSiC? MOSFET 分立式 1200 V G2,采用 TO-247 4 引腳高爬電封裝

封裝:TO-247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW65R026M2H

產(chǎn)品說明:650V、26mΩ、碳化硅 CoolSiC? MOSFET 晶體管,TO-247-3

封裝:TO-247-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW65R010M2H

產(chǎn)品說明:650V、10mΩ、碳化硅 CoolSiC? MOSFET 晶體管,TO-247-3

封裝:TO-247-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IKWH70N67PR7

產(chǎn)品說明:670 V、70 A TRENCHSTOP? IGBT7 PR7,帶反并聯(lián)二極管,采用 TO-247-3 針高爬電和間隙封裝

封裝:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IKWH60N67PR7

產(chǎn)品說明:670 V、60 A TRENCHSTOP? IGBT7 PR7,帶反并聯(lián)二極管,采用 TO-247-3 針高爬電和間隙封裝

封裝:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGLR65R140D2

產(chǎn)品說明:650V,CoolGaN? G5 系列 - GaN 功率晶體管,PG-TSON-8

封裝:PG-TSON-8
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IKWH50N67PR7

產(chǎn)品說明:670 V、50 A TRENCHSTOP? IGBT7 PR7,帶反并聯(lián)二極管,采用 TO-247-3 針高爬電和間隙封裝

封裝:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF4000UXTR33T2M1

產(chǎn)品說明:3.3kV,4.0 mΩ,XHP? 2 CoolSiC? MOSFET 半橋模塊

封裝:模塊
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IKWH40N67PR7

產(chǎn)品說明:670 V、40 A TRENCHSTOP? IGBT7 PR7,帶反并聯(lián)二極管,采用 TO-247-3 針高爬電和間隙封裝

封裝:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IQE220N15NM5SC

產(chǎn)品說明:150V,OptiMOS? 5 低壓功率 MOSFET 晶體管,PG-WHSON-8

封裝:PG-WHSON-8
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IQE220N15NM5CGSC

產(chǎn)品說明:150V,OptiMOS? 5 低壓功率 MOSFET 晶體管,PG-WHTFN-9

封裝:PG-WHTFN-9
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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